Description: | Superparamagnetic silica particles with modified surface for SH coupling chemistry. |
Order #: | MD18006 |
Unit Size: | 10 ml |
Supplier: | magtivio B.V. |
shipping: | RT |
storage: | 2-8°C |
Product Subcategory: | R&D Tools |
More information: | Go to webpage |
MoBiTecGmbH是一家私人控股公司,由StephanDiekmann教授于1987年创立。与Max-Planck学会的密切关系以及德国领先的研究中心之一哥廷根的所在地促进了与某些研究中心的密切合作。德国最具创造力的科学家。此外,MoBiTec一直与欧洲和北美的科学家广泛合作,包括法国巴斯德研究所和荷兰Vrije大学的科学家。通过将许多研究人员的精彩创意商业化,MoBiTec能够提供一系列独特的高质量产品和简化的协议,使实验室生活更轻松,并为实际研究留出更多时间。MoBiTec的产品包括e。G。用于体内检测蛋白质-蛋白质或DNA-蛋白质相互作用的双杂交系统,用于筛选特定肽配体的噬菌粒展示系统和选择具有特异性结合特性的新蛋白质,方便的LamBDaPS基因组文库用于克隆的多功能DNA载体,表达和分析靶基因,有效表达和纯化重组蛋白的试剂盒,细胞转染试剂和细胞培养工具,固定化和可溶性酶,许多用于基因组学和蛋白质组学研究的产品(例如用于PCR,核酸和蛋白质纯化和分析),众多抗体,细胞因子,生长因子和重组蛋白,优质荧光试剂和试剂盒(如蛋白标记试剂盒,标记抗体,细胞染色试剂,柱和凝胶电泳附件)。与其自有产品线并行,MoBiTec分销德国多家国际公司的产品,包括荧光探针和研究化学品(AnaSpec,TEFLabs),量子点,各种DNA纯化试剂盒和DNA聚合酶(EdgeBio),诊断工具(ZJBioTech)),凝胶电泳配件(Amresco,ClareChemical),糖生物学产品(DextraLaboratories,Sumitomo),细胞转染试剂(Mirus)以及抗体,蛋白质,底物,精细化学品和分子和细胞生物学试剂盒 -特别是病毒学,免疫学,神经生物学,细胞凋亡,信号转导,细胞增殖,细胞毒性和癌症研究(MBLI,AGScientific,Amresco,AdarBiotech,AnaSpec,Echelon)。MoBiTec提供全面的服务,从清晰完整的产品文档开始,为客户提供个性化的建议和技术服务。MoBiTec产品通过MoBiTec的总部在德国分销,在其他国家由分销商分销。此外,MoBiTec不断寻求新产品和可销售的许可技术,因此对科学合作非常感兴趣,以开发创新的产品理念。
MoBiTec拥有来自欧洲和北美的研究人员,包括法国的Pasteur研究中心和荷兰的Vrije大学的科学家。MoBiTec公司能提供独一无二的高质量产品,从而简化实验设计,而留出更多更宝贵的时间用于实际的研究。产品包括:双杂交和单杂交系统——体内蛋白-蛋白和DNA-蛋白关系,噬菌体展示系统——筛选特殊的多肽配体和选择具有特异性结合特性的新的蛋白质,LamdaPS基因文库,用于克隆的多功能DNA载体,靶基因的表达与分析,重组蛋白质高效表达和纯化试剂盒,细胞转染试剂和细胞培养工具,各种固体和溶解状态的酶,基因组学和蛋白组学研究产品(PCR,核酸,蛋白质纯化分析),各种抗体、细胞因子、生长因子、重组蛋白质,高级荧光试剂和试剂盒(蛋白质标记试剂盒,标记抗体,细胞染色试剂,钙指示器),亲和层析仪,凝胶分析工具——凝胶柱和凝胶电泳附件。
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电阻 电子元器件(resistor):是一种纯阻抗,对任何频率的体现的阻值都一样,不随频率变化而变化。
简单的说,你可以说,磁珠是一种电感,但不能说,电感就是磁珠,包含的范围完全不一样。
铁氧体材料的特点是高频损耗非常大,具有很高的导磁率,使电感的线圈绕组之间在高频高阻的情况下产生的电容最校当磁珠中有电流穿过时,铁氧体对低频电流几乎没有什么阻抗,而对较高频率的电流会产生较大的衰减。对于抑制电磁干扰用的铁氧体,最重要的性能参数为磁导率μ和饱和磁通密度Bs。它的等效电路为一个电感和一个电阻串联,两个元件的值都与磁珠的长度成比例。当导线穿过这种铁氧体磁芯时,所构成的电感阻抗是随着频率的升高而增加。高频电流在其中以热量形式散发。
在低频段,阻抗由电感的感抗构成。低频时R很小,磁芯的磁导率较高,因此电感量较大,L起主要作用,电磁干扰被反射而受到抑制,并且这时磁芯的损耗较小.整个器件是一个低损耗,高Q特性的电感。这种电感容易造成谐振.因此在低频段有时可能出现使用铁氧体磁珠后,干扰增强的现象。
在高频段,阻抗由电阻成分构成,随着频率升高,磁芯的磁导率降低,导致电感的电感量减小,感抗成分减校这时磁芯的损耗增加,电阻成分增加,导致总的阻抗增加。当高频信号通过铁氧体时,电磁干扰被吸收并转换成热能的形式耗散掉。
铁氧体磁珠广泛应用于印制电路板,如在印制板的电源线入口端套上磁珠(较大的磁环),就可以滤除高频干扰。铁氧体磁环或磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频干扰和尖峰干扰,它也具有吸收静电放电脉冲干扰的能力。
电感是储能元件,而磁珠是能量转换(消耗)器件。电感多用于电源滤波回路,侧重于抑制传导性干扰;磁珠多用于信号回路,主要用于EMI(电磁兼容)方面。磁珠用来吸收超高频信号,例如在一些RF电路、PLL、振荡电路、含超高频存储器电路等,都需要在电源输入部分加磁珠。
磁珠的单位是欧姆,是按照它在某一频率下产生的阻抗来标称的。磁珠的数据参数表(DATASHEET)上,一般会提供频率和阻抗的特性曲线图,常以100MHz为标准,比如600R@100MHz,意思就是在100MHz频率时磁珠的阻抗相当于600欧姆。
例如某磁珠参数为120Ω,25%,3A,1206,是指在频率1OOMHz时,阻抗值为1200,允许误差是:±25%,允许穿过的标称最大电流为3A;1206是外形尺寸,EIAl206(英制:英寸)等同于JIS/IEC3216(国际单位制:毫米),即长3.2mm、宽1.6mm。磁环和磁珠对高频成分起吸收作用,也称为吸收滤波器。
普通滤波器由无损耗的电抗元件构成,又叫反射滤波器。当反射滤波器与信号源阻抗不匹配时,就会有一部分能量被反射回信号源,造成干扰电平的增强。为解决这一弊端,可在滤波器的进线上使用铁氧体磁环或磁珠,利用它们对高频信号的涡流损耗,把高频威分转化为热损耗。
磁珠抑制开关噪声属于主动抑制型。通常噪声滤波器只能吸收已发生的噪声,属于被动抑制型。磁珠则能抑制开关噪声的产生,属于主动抑制型。磁珠可广泛用于高频开关电源、录像机、电子测量仪器、以及各种对噪声要求非常严格的电路中。不同的铁氧体抑制元件,有不同的最佳抑制频率范围。
通常磁导率越高,抑制频率越低。此外,铁氧体体积越大,抑制效果越好。在体积一定时,长而细的形状比短而粗的抑制效果好,内径越小抑制效果也越好。但在有直流或交流偏流的情况下,还存在铁氧体饱和的问题,抑制元件横截面越大,越不易饱和,可承受的偏流也越大。
以常用于电源滤波的 HH-1H3216-500为例,其型号各字段含义依次为:HH 是其一个系列,主要用于电源滤波,用于信号线是HB系列;1 表示一个组件封装了一个磁珠,若为4则是并排封装四个的;
H 表示组成物质,H、C、M为中频应用(50-200MHz),T低频应用50MHz),S高频应用(200MHz);
3216 封装尺寸,长3.2mm,宽1.6mm,即1206封装;
500 阻抗(一般为100MHz时),50 ohm。其产品参数主要有三项:
阻抗[Z]@100MHz (ohm) : Typical 50, Minimum 37;直流电阻 DC esistance (m ohm): Maximum 20;
额定电流 Rated Current (mA): 2500。
磁珠如何用万用表测量:
用万用表的欧姆档,测量磁珠引脚两端,通(电阻值小于1欧)即为完好。
电感多用于电源滤波回路,磁珠多用于信号回路,用于EMC对策磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰,而电感用于这方面则侧重于抑制传导性干扰。两者都可用于处理EMC、EMI问题。磁珠是用来吸收超高频信号,象一些RF电路,PLL,振荡电路,含超高频存储器电路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在电源输入部分加磁珠,而电感是一种蓄能元件,用在LC振荡电路,中低频的滤波电路等,其应用频率范围很少超过错50MHZ。地的连接一般用电感,电源的连接也用电感,而对信号线则采用磁珠?
但实际上磁珠应该也能达到吸收高频干扰的目的啊?而且电感在高频谐振以后都不能再起电感的作用了,先必需明白EMI的两个途径,即:辐射和传导,不同的途径采用不同的抑制方法。前者用磁珠,后者用电感。对于扳子的IO部分,是不是基于EMC的目的可以用电感将IO部分和扳子的地进行隔离,比如将USB的地和扳子的地用10uH的电感隔离可以防止插拔的噪声干扰地平面?电感一般用于电路的匹配和信号质量的控制上。在模拟地和数字地结合的地方用磁珠。在模拟地和数字地结合的地方用磁珠。数字地和模拟地之间的磁珠用多大,磁珠的大小(确切的说应该是磁珠的特性曲线),取决于你需要磁珠吸收的干扰波的频率,为什么磁珠的单位和电阻是一样的呢??都是欧姆!!磁珠就是阻高频嘛,对直流电阻低,对高频电阻高,不就好理解了吗, 比如1000R@100Mhz就是说对100M频率的信号有1000欧姆的电阻,因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的,阻抗的单位也是欧姆。磁珠的datasheet上一般会附有频率和阻抗的特性曲线图。一般以100MHz为标准,比如2012B601,就是指在100MHz的时候磁珠的Impedance为600欧姆。