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Ossila/BPhen (Bathophenanthroline) sublimed | 1662-01-7/5 g/M961
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Ossila/BPhen (Bathophenanthroline) sublimed | 1662-01-7/5 g/M961
品牌 / 
Ossila
货号 / 
M961
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BPhen is widely used as a hole-blocking or exciton-blocking layer due to its wide energy gap and high ionisation potential.

The phenanthroline unit is small, rigid, and planar, with extended π-electrons and short hopping lengths that facilitate electron mobility. The electron mobility of BPhen is about 5 × 10-4 cmV-1 s-1, which is about two orders of magnitude higher than that of Alq3.

When doped with lithium, BPhen:Li is an excellent electron-transport material, and is often used as an electron-injection layer to enable ohmic contact to any electrode -- without the need to consider the work function alignments.

General Information

CAS number1662-01-7 
Chemical formulaC24H16N2
Molecular weight332.40 g/mol
Absorptionλmax 272 nm (in THF)
Fluorescenceλem 379 nm (in THF)
HOMO/LUMOHOMO = 6.4 eV; LUMU = 3.0 eV
Synonyms
  • Bathophenanthroline
  • 4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline
Classification / FamilyHole-blocking layer (HBL), Electron-injection layer (EIL), OLEDS, Organic photovoltaics, Perovskite solar cells.

Product Details

PuritySublimed > 99.0%
Melting point218-220 °C (lit.)
AppearanceOff-white to pale yellow crystals

Chemical Structure

bphen Bathophenanthroline
Chemical structure of bathophenanthroline (BPhen)

Device Structure(s)

Device structureITO/2-TNATA:33% WO3 (100 nm)/NPB (10 nm)/Alq3 (30 nm)/Bphen (20 nm)/BPhen: 2% Cs (10 nm)/Al (150 nm) [1]
ColourGreen   green
Operating Voltage for 100 cd/m23.1 V
Current Efficiency for 20 mA/cm24.4 cd/A
Power Efficiency for 20 mA/cm23.3 lm W1

Device structure

ITO/TAPC:MoOx (10 nm, 15 wt.%)/TAPC(35 nm)/TcTa:Ir(BT)2(acac) (5 nm, 4 wt.%)/26DCzPPy:FIrpic (5 nm, 15 wt.%)/26DCzPPy:Ir(BT)2(acac) (5 nm, 4 wt.%)/BPhen (40 nm)/Cs2CO3 (1 nm)/Al (100 nm) [2]
ColourWhite   white
Max. EQE13.2%
Max. Current Efficiency35.0 cd/A
Max. Power Efficiency30.6 lm W1

Device structure

Si/SiO2/Al (80 nm)/MoOx: TAPC (43 nm, 15 wt.%)/TAPC (10 nm)/Ir(piq)3:TcTa (3 nm, 6%)/TcTa (2 nm)/FIrpic:26DCzPPy (5 nm, 12 wt.%)/BPhen (2 nm)/PO-01*:26DCzPPy (5 nm, 6 wt.%)/BPhen (40 nm)/Cs2CO3 (1 nm)/Al (2 nm)/Cu (18 nm)/TcTa (60 nm) [3]
ColourWhite    white
EQE @ 1000 cd/m210%
Current Efficiency @ 1000 cd/m225.6 cd/A
Power Efficiency @ 1000 cd/m220.1 lm W1
Device structureITO/MoOx (2 nm)/m-MTDATA: MoOx (30 nm, 15 wt.%)/m-MTDATA(10 nm)/Ir(ppz)(10 nm)/CBP:PO-01* (3 nm, 6 wt.%)/Ir(ppz)3(1 nm)/DBFDPOPhCz*:FIrpic (10 nm,10 wt.%)/Bphen (36 nm)/LiF(1 nm)/Al [4]                   
ColourWhite    white
Max. EQE12.2%
Max. Current Efficiency42.4 cd/A
Max. Power Efficiency47.6 lm W1
Device structureITO/NPB (30 nm)/CBP:8 wt% (t-bt)2Ir(acac)* (15 nm)/BPhen(35 nm)/LiF (1 nm)/CoPc:C60 (4:1) (5 nm)/MoO(5 nm)/NPB(30 nm)/CBP:8 wt% (t-bt)2Ir(acac)* (15 nm)/BPhen (35 nm)/Mg:Ag (100 nm) [5]
Colour   Yellow    yellow
Max. EQE16.78%
Max. Luminance 42,236 cd/m2
Max. Current Efficiency50.2 cd/A
Max. Power Efficiency12.9 lm W1
Device structureITO/NPD* (40 nm)/9%-Ir(piq)3:CBP (20 nm)/BPhen (50 nm)/KF (1 nm)/Al [6]
ColourRed    red
Max. Luminance11,000 cd/m2
Max EQE10.3%
Max. Powder Efficiency8.0 lm W1
Device structureITO/0.4 wt% F4TCNQ doped α NPD (30 nm)/ 5 wt% Ir (ppy)3 doped CBP (50 nm)/BPhen (30 nm)/20 wt% TCNQ mixed BPhen (1.5 nm)/Al [7]
ColourGreen   green
Luminance @ 15 V1,320 cd/m2 
Power Efficiency @ 14 V56.6 lm W1  
Current Efficiency @ 14 V23.17 cd/A
Device structureITO/F4TCNQ (3 nm)/MeO-Spiro-TPD (27 nm)/CBP + BCzVbi* (50 nm)/BPhen (10 nm)/TCNQ mixed BPhen (1.5 nm)/Al [8]
Colour Red   red
Luminance @ 10 mA/cm21,790 cd/m2
Power Efficiency @ 10 mA/cm2     4.65 lm W1  
Current Efficiency @ 10 mA/cm218.0 cd/A
Device structure ITO/ NPB (70 nm)/DPVBi:BCzVBi (15 wt%, 15 nm)/ADN:BCzVBi (15% wt%, 15 nm)/BPhen (30 nm)/ Liq (2 nm)/Al (100 nm) [9]
ColourDeep Blue  deep blue
Max. Luminance      8,668 cd/m2
Max. Current Efficiency 5.16 cd/A
Device structure ITO/m-MTDATA:MoOx (3:1, 15 nm)/m-MTDATA (30 nm)/NPB (5 nm)/Alq3 (50 nm)/BPhen (10 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm) [10]
ColourGreen   green
Max. Luminance42,090 cd/m2 
Max. Current Efficiency4.77 cd/A
Max. Power Efficiency3.5 lm W1
Device structureITO/MoO3 (5 nm)/ NPB (35 nm)/CBP (5 nm)/DPVBi (I) (10 nm)/CBP:Rubrene (4:1) (3 nm)/DPVBi (II) (30 nm)/CBP (HBL3) (2 nm)/BPhen (10 nm)/LiF/Al [11]
ColourWhite   white
Max. Luminance 2,650 cd/m2
Max. Current Efficiency 4.6 cd/A
Device structureITO/MoO3 (5 nm)/ NPB (35 nm)/CBP (5 nm)/DPVBi (I) (10 nm)/CBP:Rubrene (4:1) (3 nm)/DPVBi (II) (30 nm)/CBP (HBL3) (2 nm)/BPhen (10 nm)/LiF/Al [12]
ColourWhite  white
Max. Luminance 12,100 cd/m2
Current Efficiency @ 11 V5.03 cd/A
Device structureITO/NPB/DPVBi:BCzVBi-6%/MADN:DCM2-0.5%/Bphen/Liq/Al [13]
ColourWhite  white
Max. Luminance 15,400 cd/m2
Max. Current Efficiency6.19 cd/A

Pricing

 GradeOrder CodeQuantityPrice
Sublimed (>99.0% purity)M9611 g£77.00
Sublimed (>99.0% purity)M9615 g£308.00

MSDS Documentation

BPhen MSDSBPhen MSDS sheet

Literature and Reviews

  1. Highly Power Efficient Organic Light-Emitting Diodes with a p-Doping Layer, C-C. Chang et al., Appl. Phys. Lett., 89, 253504 (2006); doi: 10.1063/1.2405856.
  2. Pure White Organic Light-Emitting Diode with Lifetime Approaching the Longevity of Yellow Emitter, J-H. Jou et al., ACS Appl. Mater. Interfaces, 3, 3134–3139 (2011). dx.doi.org/10.1021/am2006383.
  3. Exceedingly efficient deep-blue electroluminescence from new anthracenes obtained using rational molecular design, S-K. Kim et al., J. Mater. Chem., 18, 3376–3384 (2008). DOI: 10.1039/B805062G.
  4. Highly efficient and color-stable white organic light-emitting diode based on a novel blue phosphorescent host, Q. Wu et al., Syn. Metals 187, 160– 164 (2014); http://dx.doi.org/10.1016/j.synthmet.2013.11.010.
  5. Effect of bulk and planar heterojunctions based charge generation layers on the performance of tandem organic light-emitting diodes, Z. Ma et al., Org. Electronics, 30, 136-142 (2016). doi:10.1016/j.orgel.2015.12.020
  6. Homoleptic Cyclometalated Iridium Complexes with Highly Efficient Red Phosphorescence and Application to Organic Light-Emitting Diode, A. Tsuboyama et al., J. Am. Chem. Soc., 125, 12971-12979 (2003). DOI: 10.1021/ja034732d.
  7. Novel organic electron injection layer for efficient and stable organic light emitting diodes, R. Grover et al., J. Luminescence, 146, 53–56 (2014). http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2013.09.004.
  8. Light outcoupling efficiency enhancement in organic light emitting diodes using an organic scattering layer, R. Grover et al., Phys. Status Solidi RRL 8 (1), 81–85 (2014). DOI: 10.1002/pssr.201308133.
  9. Highly efficient blue organic light-emitting diodes using dual emissive layers with host-dopant system, B. Lee et al., J. Photon. Energy. 3(1), 033598 (2013), doi:10.1117/1.JPE.3.033598.
  10. Very low turn-on voltage and high brightness tris-(8-hydroxyquinoline) aluminumbased organic light-emitting diodes with a MoOx p-doping layer, G. Xie et al., Appl. Phys. Lett., 92, 093305 (2008); doi: 10.1063/1.2890490.
  11. Enhancing Color Purity and Stable Efficiency of White Organic Light Diodes by Using Hole-Blocking Layer, C-J. Huang et al., J. Nanomater., 2014; dio: 10.1155/2014/915894.
  12. Efficient white organic light-emitting diodes based on a balanced split of the exciton-recombination zone using a graded mixed layer as an electron-blocking layer, C. K. Kim et al., J. Soc. Info. Display, 18 (1), 97-102 (2012).
  13. High efficient white organic light-emitting diodes using BCzVBi as blue fluorescent dopant, Y. Kim et al., J Nanosci. Nanotechnol., 8(9), 4579-83 (2008).

To the best of our knowledge the technical information provided here is accurate. However, Ossila assume no liability for the accuracy of this information. The values provided here are typical at the time of manufacture and may vary over time and from batch to batch.

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2018-07-14
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